淺析激光打標機的發展史
Time: 2021-01-13 Reads: 2602 Edit: Admin

　　20世紀90年代出現并特別值得一提的是面發射激光器(SEL)，早在1977年，人們就提出了所謂的面發射激光器，并于1979年做出了第一個器件，1987年做出了用光泵浦的780nm的面發射激光器.1998年GaInAIP/GaA。

激光打標機

　　激光打標機面發射激光器在室溫下達到亞毫安的網電流,8mW的輸出功率和11%的轉換效率。前面談到的半導體激光器，從腔體結構上來說，不論是F一P(法布里一泊羅)腔或是DBR(分布布拉格反射式)腔，激光輸出都是在水平方向，統稱為水平腔結構.它們都是沿著襯底片的平行方向出光的.而面發射激光器卻是在芯片上下表面鍍上反射膜構成了垂直方向的F一p腔，光輸出沿著垂直于襯底片的方向發出，垂直腔面發射半導體激光器(VCSEIS)是一種新型的量子阱激光器，它的激射闊值電流低，輸出光的方向性好，藕合效率高，能得到相當強的光功率輸出，垂直腔面發射激光器已實現了工作溫度最高達71攝氏度. 20世紀90年代末，面發射激光器和垂直腔面發射激光器得到了迅速的發展，且已考慮了在超并行光電子學中的多種應用.980mn,850nm和780nm的器件在光學系統中已經實用化.目前，垂直腔面發射激光器已用于千兆位以太網的高速網絡。